MOS又分為兩種，一種為耗盡型（DepletionMOS），另一種為增強型（EnhancementMOS）。這兩種型態(tài)的構造沒有太大的差異，僅僅耗盡型MOS一開始在Drain-Source的通道上就有載子，所以即便在VGS為零的情況下，耗盡型MOS仍可以導通的。而增強型MOS則有必要在其VGS大於某一特定值才華導通。
開關電源中的MOS管 現(xiàn)在讓咱們考慮開關電源運用，以及這種運用如何需要從一個不一樣的視點來審視數(shù)據(jù)手冊。從界說上而言，這種運用需要MOS管守時導通和關斷。一起，稀有十種拓撲可用于開關電源，這兒考慮一個簡略的比方。DC-DC電源中常用的根柢降壓轉換器依托兩個MOS管來施行開關功用（圖2），這些開關更換在電感里存儲能量，然后把能量釋放給負載。現(xiàn)在，計劃人員常常挑選數(shù)百kHz甚至1 MHz以上的頻率，因為頻率越高，磁性元件可以更小更輕。
MOS即MOSFET全稱金屬氧化膜絕緣柵型場效應管，有門極Gate,源極Source,漏極Drain.通過給Gate加電壓發(fā)作電場操控S/D之間的溝道電子或許空穴密度（或許說溝道寬度）來改動S/D之間的阻抗。這是一種簡略好用，挨近志趣的電壓操控電流源電晶體它具以下特征:開關速度快、高頻率性能好，輸入阻抗高、驅動功率小、熱穩(wěn)定性優(yōu)秀、無二次擊穿疑問、全作業(yè)區(qū)寬、作業(yè)線性度高等等，其最首要的利益便是可以削減體積巨細與重量，提供給計劃者一種高速度、高功率、高電壓、與高增益的元件。在各類中小功率開關電路中運用極為廣泛。
柵極電荷和導通阻抗之所以首要，是因為二者都對電源的功率有直接的影響。對功率有影響的損耗首要分為兩種方法--傳導損耗和開關損耗。輸出電容也有利于傳統(tǒng)的降壓轉換器（有時又稱為硬開關轉換器），不過要素不一樣。因為每個硬開關周期存儲在輸出電容中的能量會扔掉，反之在諧振轉換器中能量重復循環(huán)。因而，低輸出電容對于同步降壓調(diào)節(jié)器的低邊開關格外首要。
低輸出電容（COSS）值對這兩類轉換器都大有優(yōu)點。諧振轉換器中的諧振電路首要由變壓器的漏電感與COSS挑選。此外，在兩個MOS管關斷的死區(qū)時間內(nèi)，諧振電路有必要讓COSS完全放電。
柵極電荷是發(fā)作開關損耗的首要要素。柵極電荷單位為納庫侖（nc），是MOS管柵極充電放電所需的能量。柵極電荷和導通阻抗RDS（ON） 在半導體計劃和制造技術中彼此有關，一般來說，器件的柵極電荷值較低，其導通阻抗參數(shù)就稍高。關電源中第二首要的MOS管參數(shù)包含輸出電容、閾值電壓、柵極阻抗和雪崩能量。某些格外的拓撲也會改動不一樣MOS管參數(shù)的有關質量，例如，可以把傳統(tǒng)的同步降壓轉換器與諧振轉換器做對比。諧振轉換器只在VDS （漏源電壓）或ID （漏極電流）過零時才進行MOS管開關，然后可把開關損耗降至最低。這些技術被變成軟開關或零電壓開關（ZVS）或零電流開關（ZCS）技術。因為開關損耗被最小化，RDS（ON） 在這類拓撲中顯得更加首要。
顯著，電源計劃恰當凌亂，而且也沒有一個簡略的公式可用于MOS管的評估。但咱們無妨考慮一些關鍵的參數(shù)，以及這些參數(shù)為何至關首要。傳統(tǒng)上，許多電源計劃人員都選用一個概括質量因數(shù)（柵極電荷QG ×導通阻抗RDS（ON））來評估MOS管或對之進行等級差異。
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