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場(chǎng)效應(yīng)管的跨導(dǎo)gm理解與解析
2022-11-29
場(chǎng)效應(yīng)管的跨導(dǎo)gm理解與解析指輸出端電流的變化值與輸入端電壓的變化值之間的比值。在SI單位中，西門子公司，用符號(hào)，S；1西門子=1安培每伏
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MOS管,MOS管溝道/反型層解析
2022-11-29
MOS管,MOS管溝道 反型層解析MOSFET的核心部分是柵極及其下面的MOS系統(tǒng)。MOSFET的工作就是通過控制MOS的半導(dǎo)體表面勢(shì)阱——反型層（導(dǎo)電溝道
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共源級(jí)放大器偏置設(shè)計(jì)詳解
2022-11-28
共源級(jí)放大器偏置設(shè)計(jì)詳解共源級(jí)放大器的偏置電路設(shè)計(jì)一個(gè)合適的偏置電路設(shè)計(jì)是放大器工作的前提，偏置電路需要使MOSFET工作在飽和區(qū)。如圖
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共源級(jí)放大電路的小信號(hào)圖文解析
2022-11-28
共源級(jí)放大電路的小信號(hào)圖文解析共源級(jí)放大電路小信號(hào)放大電路的小信號(hào)分析主要考慮三個(gè)參數(shù)，放大倍數(shù)、輸入阻抗和輸出阻抗，這三個(gè)參數(shù)直
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MOSFET-N溝道,P溝道MOS管的不同點(diǎn)介紹
2022-11-28
MOSFET-N溝道,P溝道MOS管的不同點(diǎn)介紹N溝道和P溝道MOS管區(qū)別1、芯片材質(zhì)不同雖然芯片都是硅基，但是摻雜的材質(zhì)是不同，使得N溝道MOS管是通
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充電器電源變換電路的分析和應(yīng)用介紹
2022-11-26
充電器電源變換電路的分析和應(yīng)用介紹分析一個(gè)電源，往往從輸入開始著手。220V交流輸入，一端經(jīng)過一個(gè)4007半波整流，另一端經(jīng)過一個(gè)10歐的電
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電源延遲接通電路詳解
2022-11-26
電源延遲接通電路詳解在設(shè)計(jì)電子電路時(shí) 有時(shí)希望在合上開關(guān)后，電源延遲一會(huì)再接通。例如在有輸出的設(shè)備上，希望設(shè)備工作穩(wěn)定后再輸出。在
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結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)的基礎(chǔ)知識(shí)介紹
2022-11-26
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)的基礎(chǔ)知識(shí)介紹在N區(qū)兩側(cè)擴(kuò)散兩個(gè)P+區(qū)，形成兩個(gè)PN結(jié)。兩個(gè)P+區(qū)相連，引出柵極g。N體的上下兩端分別引出漏極d和源極s。
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解析MOS管在功放中的應(yīng)用,正負(fù)溫管
2022-11-25
解析MOS管在功放中的應(yīng)用,正負(fù)溫管MOS管跟三極管的區(qū)別;MOS管是電壓控制器件，它只要小量的Qg驅(qū)動(dòng)電流就能動(dòng)作了。而三極管是電流驅(qū)動(dòng)器件
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MOSFET的開啟過程詳解圖文介紹
2022-11-25
MOSFET的開啟過程詳解圖文介紹MOSFET的開啟過程在講解MOSFET的開啟過程之前，先說以下電容C的充放電過程，下面以1uF陶瓷電容為例，我們仿真
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模擬電路Gm-運(yùn)放增益計(jì)算介紹
2022-11-25
模擬電路Gm-運(yùn)放增益計(jì)算介紹先來(lái)看一個(gè)golden rule：gate 和drain的變換方向相反source 和drain的變換方向相同如果M1的gate是Vip，也就
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CMOS運(yùn)放設(shè)計(jì),關(guān)于電流鏡解析
2022-11-24
CMOS運(yùn)放設(shè)計(jì),關(guān)于電流鏡解析工作點(diǎn)小信號(hào)是大信號(hào)工作在固定偏置點(diǎn)下電路體現(xiàn)，那么為了得到我們需要的小信號(hào)性能，例如運(yùn)放的增益，BW，G